谢美秋

姓　　名

谢美秋

性　　别

女

出生年月

学历学位

研究生学历，工学博士学位

职　　称

讲师

部　　门

437bwin必赢国际官网应用物理系

导师类别

硕士生导师

指导专业

物理学，物理电子学

办公地点

教2-325（1）

办公电话

电邮地址

mqxie@njupt.edu.cn

个人主页

主授课程

大学物理实验

社会兼职

研究方向

凝聚态物理；第一性原理计算；二维材料的光电器件模拟（光伏、光催化）

个人

简历

本科毕业于商丘师范大学437bwin必赢国际官网；硕士研究生毕业于武汉理工大学437bwin必赢国际官网；博士研究生毕业于南京理工大学材料科学与工程学院材料物理与化学专业。2018年进入437bwin必赢国际官网。

主要

成果

近年来主要从事稳定性好、光电性能优良的二维材料的理论设计与光电器件应用研究，特别在新型二维半导体材料电子结构、光电特性等的调控及其在光伏、光催领域的应用。共发表SCI论文22篇（其中第一作者和通讯作者10篇），主要有：Nano Energy 2篇、Angew. Chem. 1篇、Mater. Horiz. 1篇、ACS Appl. Mater. Inter. 1篇、Nanoscale 1篇、Phys. Rev. B 1篇、Appl. Phys. Lett. 1篇。先后被《Nature Communications》、《Journal of the American   Chemical Society》、《Advanced Materials》、《Physical Review Letters》等引为解释依据。

研究

项目

(1) 二维V族范德华异质结界面载流子输运机制及光伏性能研究，国家自然科学基金青年项目，12004192，24万，2020.01-2023.12，主持；

(2) 二维氮族异质结光生载流子输运机理及其光伏性能的理论研究，江苏省自然科学基金青年项目，BK20190741，20万，2019.07-2022.06,   主持；

(3) 二维氮族衍生物光伏材料的理论设计：效率与稳定性，江苏省高等学校自然科学研究面上项目，19KJB140015, 3万，2019.09-2021.08, 主持；

(4) 437bwin必赢国际官网引进人才科研启动基金项目, NY219033, 2019.09-2022.08, 3万，主持；

(5) 437bwin必赢国际官网国自基金孵化项目，NY220039, 2020.01-202212, 主持。

荣誉

奖励

论著
代表作

1. Meiqiu Xie, Bo Cai, Zhaoshun Meng,   Yu Gu, Shengli Zhang*, Xuhai Liu, Xing’ao Li* and Haibo Zeng*. Two-Dimensional   BAs/InTe: A Promising Tandem Solar Cell with High Power Conversion   Efficiency. ACS Applied Materials & Interfaces, 2020, 12(5): 6074-6081.   (IF = 9.229)

2. Meiqiu Xie, Shengli Zhang, Bo   Cai, Yu Gu, Xuhai Liu, Erjun Kan* and Haibo Zeng*. Van Der Waals Bilayer   Antimonene: A Promising Thermophotovoltaic Cell Material with 31% Energy   Conversion Efficiency. Nano Energy, 2017, 38, 561-568. (IF = 17.881)

3. Meiqiu Xie, Shengli Zhang, Bo   Cai, Yong Huang, Yousheng Zou, Yu Gu and Haibo Zeng*. A Promising   Two-dimensional Solar Cell Donor: Black Arsenic-phosphorus Monolayer with   1.54 eV Direct Bandgap and Mobility Exceeding 14,000 cm2V-1s-1, Nano energy,   2016, 28, 433-439. (IF = 17.881)

4. Meiqiu Xie, Shengli Zhang, Bo   Cai, Zhen Zhu, Yousheng Zou and Haibo Zeng*. Two-dimensional BX (X=P, As, Sb)   semiconductors with mobilities approaching graphene. Nanoscale, 2016, 8,   13407–13413. (IF   = 7.79)

5. Xuxin Yang, Caixia Mao, Yonghong Hu*,   Hui Cao*, Yuping Zhang, Dong Zhao, Zhiyuan Chen and Meiqiu Xie*. Two-dimensional   aluminum phosphide semiconductor with tunable direct band gap for   nanoelectric applications. RSC Advances, 2020, 10, 25170. (IF = 3.361)

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